Un equipo de de la Universidad Rice, en Houston, Texas ha desarrollado chips de memoria transparentes y flexibles, utilizando el óxido de silicio como componente activo.
El nuevo tipo de memoria se podría combinar con electrodos transparentes y con otros componentes , y lograr así tener dispositivos con pantallas táctiles flexibles, y equipados con baterías y circuitos integrados transparentes.
Los chips de memoria transparentes se basan en el descubrimiento, hecho en 2010, de que al imponer una carga eléctrica fuerte a través del óxido de silicio estándar, un aislante ampliamente usado en la electrónica, se forman canales de cristales de silicio puro de menos de 5 nanómetros de ancho. El voltaje inicial parece despojar de átomos de oxígeno al óxido de silicio. Cargas eléctricas menores cortan y reconectan repetidamente el circuito y lo convierten en una memoria no volátil.
Habrá que ver cuanto demora esta tecnología en presentarse al mercado mundial de los dispositivos electrónicos.
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